AOT4N60技术参数

AOT4N60是一款由Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS)设计生产的N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于标准的TO-220通孔封装内。该器件基于优化的单元结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的良好平衡，其核心在于通过精确的沟道与漂移区设计，在确保600V高阻断电压的同时，有效控制了特定导通电阻。

该MOSFET具备多项关键电气特性，使其在高压开关应用中表现出色。其漏源击穿电压(Vdss)高达600V，为应对工业级AC-DC变换中的电压应力提供了充足的裕量。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻(Rds(on))典型值较低，在2A电流条件下最大值为2.2欧姆，这直接有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。此外，其栅极总电荷(Qg)最大值仅为18nC，结合615pF的输入电容(Ciss)，意味着器件具有较快的开关速度和较低的栅极驱动需求，有利于简化驱动电路设计并减少开关损耗。

在接口与参数方面，AOT4N60定义了明确的工作边界。其连续漏极电流(Id)在壳温(Tc)条件下额定值为4A，最大栅源电压(Vgs)可承受±30V，确保了驱动层面的鲁棒性。器件的开启阈值电压(Vgs(th))最大为4.5V，具备良好的噪声抑制能力。其结温(Tj)工作范围宽广，从-55°C延伸至150°C，配合TO-220封装良好的导热路径（最大功耗104W @ Tc），使其能够适应严苛的环境与热条件。对于需要可靠供应链与技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取该产品及相关服务。

凭借600V的耐压等级、平衡的导通与开关特性以及TO-220封装的便利性，AOT4N60非常适用于离线式开关电源(SMPS)的初级侧功率开关、功率因数校正(PFC)电路、电机驱动逆变器的辅助电源以及各类照明镇流器等应用场景。在这些领域中，它能够有效地执行高频开关动作，是实现高效、紧凑型电源解决方案的关键元件之一。

• 制造商产品型号：AOT4N60
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 4A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：615pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：104W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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