AOWF12N50技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOWF12N50 是一款采用TO-262F封装的高性能N沟道功率MOSFET。该器件基于先进的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在优化高电压下的开关性能与导通损耗平衡，为工业级应用提供了可靠的功率开关解决方案。

该MOSFET具备500V的高漏源击穿电压(Vdss)，确保了在严苛的电气环境下工作的稳定性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流(Id)额定值高达12A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻(Rds(on))在10V栅极驱动电压、6A漏极电流条件下典型值仅为520毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，最大栅极电荷(Qg)仅为37nC，结合1633pF的输入电容(Ciss)，意味着器件在开关过程中所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并提升高频开关性能。

在接口与电气参数方面，AOWF12N50 的栅源电压(Vgs)耐受范围为±30V，提供了充足的驱动安全裕量。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为4.5V，具备良好的噪声抑制能力。器件采用通孔安装的TO-262F封装，这种封装形式在提供良好散热路径的同时，也兼顾了PCB板的机械强度。其最大功耗为28W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，宽温域设计使其能适应从消费电子到工业控制等多种环境。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取完整的技术资料、样品以及供应链支持。

凭借其高耐压、低导通电阻和优良的开关特性，AOWF12N50 非常适用于需要高效能功率转换和控制的场合。典型应用包括开关模式电源(SMPS)的PFC和主开关电路、电机驱动与控制系统中的逆变桥臂、不间断电源(UPS)的功率模块以及各类工业照明和电焊设备的功率级。其稳健的设计使其成为工程师在开发高可靠性、高效率功率电子产品时的优选功率器件。

• 制造商产品型号：AOWF12N50
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 12A TO262F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：520 毫欧 @ 6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：37nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1633pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：28W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：-
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOWF12N50现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。