

AOL1418技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:UltraSO-8
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 15A/85A ULTRASO8
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AOL1418技术参数详情说明:
AOL1418是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款采用先进MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)技术的N沟道功率器件。该芯片采用行业标准的UltraSO-8封装,实现了高功率密度与出色热性能的结合。其核心架构基于优化的单元设计,有效降低了导通电阻和栅极电荷,从而在开关应用中显著提升了效率并减少了开关损耗。
该器件在30V的漏源电压(Vdss)规格下,提供了优异的电流处理能力。在25°C环境温度下,其连续漏极电流(Id)额定值为15A(Ta),而在管壳温度下,这一能力可高达85A(Tc),展现了其强大的峰值电流承载潜力。其关键特性在于极低的导通电阻,在10V驱动电压(Vgs)和20A电流条件下,Rds(On)最大值仅为6毫欧,这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时,其栅极驱动要求适中,最大栅源阈值电压Vgs(th)为2.6V,标准驱动电压为4.5V至10V,与主流控制器兼容性良好。
在动态性能方面,AOL1418同样表现出色。在4.5V Vgs条件下,其最大栅极电荷(Qg)仅为32nC,结合最大1600pF的输入电容(Ciss),确保了快速、干净的开关切换,有利于高频应用。其工作结温范围宽达-55°C至175°C,最大功率耗散在管壳温度下可达100W,配合UltraSO-8封装优良的热阻特性,为系统散热设计提供了充裕的余量。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过AOS授权代理获取相关的技术支持和产品信息。
凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性,AOL1418非常适合用于对效率和空间有严苛要求的DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护电路等应用场景。尤其是在同步整流、服务器电源和便携式设备的电源管理模块中,其性能优势能够得到充分发挥。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计理念和性能参数仍为后续产品开发提供了重要参考。
- 制造商产品型号:AOL1418
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 30V 15A/85A ULTRASO8
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):15A(Ta),85A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6 毫欧 @ 20A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):32nC @ 4.5V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1600pF @ 15V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):2.08W(Ta),100W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:UltraSO-8
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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