AOT8N80L技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOT8N80L 是一款采用先进平面MOSFET技术制造的N沟道功率场效应晶体管。该器件基于成熟的TO-220通孔封装，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗之间的优异平衡。其800V的漏源击穿电压（Vdss）为应对工业及消费类电源中的电压尖峰和反激拓扑提供了充足的裕量，而1.63欧姆（@10V Vgs, 4A Id）的典型导通电阻（Rds(on)）则有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。

在功能特性方面，AOT8N80L 展现了出色的开关性能与热管理能力。其栅极电荷（Qg）典型值仅为32nC（@10V），较低的栅极电荷意味着驱动电路所需的开关损耗更小，有助于实现更高频率的开关操作，这对于提升开关电源的功率密度至关重要。同时，器件支持高达±30V的栅源电压（Vgs），提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。其最大功率耗散能力在管壳温度（Tc）条件下可达245W，结合TO-220封装良好的散热特性，确保了器件在连续大电流工作下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方指定的 AOS中国代理 获取产品与相关服务。

从接口与电气参数来看，该MOSFET在25°C管壳温度下可连续通过7.4A的漏极电流（Id），并能在-55°C至150°C的结温（Tj）范围内稳定工作。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，属于标准逻辑电平驱动，便于与常见的PWM控制器直接接口。输入电容（Ciss）为1650pF，这一参数与栅极电荷共同决定了开关速度，工程师在设计驱动电路时需要综合考虑。这些参数共同定义了一个适用于高压、中功率场景的稳健开关元件。

基于其高压、低导通电阻和良好的开关特性，AOT8N80L 非常适合于一系列要求严苛的功率转换应用。典型应用场景包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器的逆变桥臂以及电子镇流器和LED照明驱动。在这些应用中，它能够有效承担功率开关的核心角色，帮助系统实现高能效、高功率密度和可靠的长期运行。

• 制造商产品型号：AOT8N80L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：800V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7.4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.63 欧姆 @ 4A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：32nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1650pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：245W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOT8N80L现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。