AOD4T60P技术参数
- 制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-252，（D-Pak）
- 技术参数：MOSFET N-CH 600V 4A TO252
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AOD4T60P技术参数详情说明：
AOD4T60P是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于TO-252（D-Pak）表面贴装封装中。该器件设计用于在高压开关应用中提供可靠的性能，其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性之间的良好平衡，从而有效降低传导与开关损耗。
该器件具备600V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够稳定工作在要求高输入电压或存在电压尖峰的应用环境中。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为4A，结合最大仅2.1欧姆的导通电阻（Rds(on)）（测试条件为10V Vgs, 2A Id），确保了在导通期间具有较低的功率耗散，有助于提升系统整体效率。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现完全导通，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为15nC（@10V），这有利于简化驱动电路设计并实现快速的开关速度。
在电气参数方面，AOD4T60P的输入电容（Ciss）最大值为522pF（@100V），较低的电容值有助于进一步优化高频开关性能。器件允许的栅源电压（Vgs）范围为±30V，提供了较高的栅极耐压余量。其最大功率耗散能力为83W（Tc），宽泛的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了其在严苛热环境下的稳定运行。对于需要获取该器件库存或技术支持的客户，可以联系官方授权的AOS代理商。
凭借其高压、低导通电阻及快速开关的特性，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制以及照明镇流器等场景。其TO-252封装提供了良好的散热能力与便于自动化生产的表面贴装形式，是工业控制、消费电子及家电产品中高压功率开关部分的理想选择之一。
- 制造商产品型号：AOD4T60P
- 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 4A TO252
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.1 欧姆 @ 2A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：522pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：83W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：TO-252，（D-Pak）
- 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。
作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD4T60P现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。
