AOTF10N50FD_001技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOTF10N50FD_001 是一款采用TO-220-3F封装的高压N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在优化高压开关应用中的导通损耗与开关性能平衡。其内部架构通过精心的单元布局和工艺控制，实现了在500V高阻断电压下的稳定工作能力，同时将导通电阻控制在较低水平，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET的显著特性包括高达500V的漏源击穿电压（Vdss）和10A的连续漏极电流承载能力，使其能够从容应对工业级功率环境。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、5A电流条件下典型值仅为750毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗被显著降低。此外，栅极电荷（Qg）最大值仅为35nC，结合适中的输入电容，有助于降低驱动电路的负担并提升开关速度，从而减少开关过程中的能量损耗。其栅源电压（Vgs）可承受±30V的范围，为驱动设计提供了充足的裕量。

在电气参数方面，该器件在25°C壳温下的最大功率耗散为50W，确保了良好的热性能。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.2V，属于标准逻辑电平兼容范围，便于与常见的控制器接口。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，使其能够适应苛刻的环境温度条件。TO-220-3F通孔封装提供了优异的机械强度和散热能力，便于通过散热器进行热管理。对于需要获取该器件技术细节或采购支持的工程师，可以通过官方授权的AOS中国代理渠道进行咨询。

凭借其高压、低导通电阻和快速开关的特性组合，AOTF10N50FD_001非常适合于要求高效率和高可靠性的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换器中的高压侧开关、电机驱动控制器以及不同断电源（UPS）系统中的功率转换级。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数对于理解同类高压MOSFET的选型与替代仍具有重要的参考价值。

• 制造商产品型号：AOTF10N50FD_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：750 毫欧 @ 5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1240pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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