AON6514技术参数

AON6514是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，封装于紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装型封装中。该器件设计用于在30V的漏源电压（Vdss）下工作，其连续漏极电流在环境温度（Ta）25°C下可达23A，在壳温（Tc）条件下更能达到30A，展现出优异的电流承载能力。其核心优势在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为5毫欧，这直接转化为更高的系统效率和更低的热耗散。

为了实现快速高效的开关控制，该MOSFET的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V，确保了与常见逻辑电平驱动的良好兼容性。其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值仅为22.5nC，结合最大951pF的输入电容（Ciss），共同构成了极低的开关损耗，使其非常适用于高频开关应用。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕度。其结温（TJ）工作范围覆盖-55°C至150°C，并具备4.1W（Ta）和25W（Tc）的功率耗散能力，保证了在严苛环境下的可靠运行。

在接口与参数方面，低导通电阻与低栅极电荷的优化组合是其显著特点，这使得AON6514在需要高功率密度和高效能的场景中表现突出。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取产品技术与供货信息。该器件典型的应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块。其紧凑的DFN封装尤其适合空间受限的现代电子设备，如笔记本电脑、服务器电源、通信基础设施和便携式工业设备，通过减少功率损耗来提升整体系统的续航与性能。

• 型号:AON6514
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 23A/30A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Ta），30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:951 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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