AOTF5N100技术参数

AOTF5N100是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的高压N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于标准的TO-220-3F绝缘型封装内。该器件基于优化的单元结构设计，旨在实现高阻断电压与低导通电阻之间的良好平衡，其核心在于通过精密的制造工艺控制沟道和漂移区的特性，从而在高达1000V的漏源电压（Vdss）下保持稳定的性能。

该MOSFET的显著特性在于其高压耐受能力与良好的开关特性。其漏源电压额定值高达1000V，使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中的高压应力。在导通特性方面，当驱动电压（Vgs）为10V时，其导通电阻（Rds(on)）最大值为4.2欧姆（测试条件为2.5A），这有助于降低导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为23nC（@10V），结合1150pF的输入电容（Ciss），意味着器件所需的驱动能量较低，有利于实现快速开关并简化驱动电路设计，提升系统整体效率。

在电气参数与接口方面，AOTF5N100在壳温（Tc）条件下的连续漏极电流（Id）为4A，最大栅源电压（Vgs）为±30V，提供了宽裕的安全工作区。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，具备一定的噪声免疫能力。器件采用通孔安装的TO-220-3F封装，该封装具有良好的机械强度和散热性能，最大功率耗散能力为42W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取该产品及相关服务。

凭借其高耐压、适中的电流能力和优化的开关参数，AOTF5N100非常适用于需要高压开关和功率转换的应用场景。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路和主开关、工业照明（如HID灯）的电子镇流器、以及电机驱动和逆变器中的高压侧开关。其稳健的设计使其成为工程师在构建高效、可靠的高压功率系统时的理想选择之一。

• 制造商产品型号：AOTF5N100
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 1000V 4A TO220-3F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：1000V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1150pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：42W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOTF5N100现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。