AOTF8N50技术参数

AOTF8N50是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于标准TO-220-3F通孔封装中。该器件基于优化的单元设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的良好平衡，其核心在于通过精密的制造工艺控制沟道特性，从而在高达500V的漏源电压（Vdss）下，依然能提供稳定的8A连续漏极电流（Tc=25°C）。

该MOSFET具备出色的开关性能与可靠性。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、4A电流条件下典型值仅为850毫欧，这有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在28nC（@10V），结合1042pF（@25V）的输入电容（Ciss），意味着器件具有较快的开关速度，有助于减少开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压（Vgs）耐受范围宽达±30V，增强了抗干扰能力，而阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V（@250A），确保了在常见逻辑电平驱动下的可靠开启与关断。

在接口与热性能方面，AOTF8N50采用标准的三引脚TO-220-3F封装，便于安装和散热处理。其最大功耗可达38.5W（Tc），结温工作范围覆盖-55°C至150°C，为在严苛环境下的持续稳定运行提供了保障。对于需要稳定货源和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理进行采购与咨询。

凭借500V的高压耐受能力和8A的电流处理能力，这款器件非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。其低导通电阻和适中的栅极电荷特性，使其在反激、正激等拓扑结构中能有效提升效率，尤其适用于工业电源、家用电器电源以及照明驱动等对成本与性能有综合要求的领域。

• 制造商产品型号：AOTF8N50
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：850 毫欧 @ 4A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：28nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1042pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：38.5W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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