AOU3N50技术参数

AOU3N50是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面MOSFET技术，构建于高性能硅基之上，其核心设计旨在优化高电压下的导通与开关性能。其结构确保了在500V的高漏源电压（Vdss）下，依然能保持稳定的电气隔离和可靠的阻断能力，结温（TJ）工作范围宽达-50°C至150°C，为在严苛环境下的持续运行提供了保障。

该MOSFET的显著特性在于其平衡的性能参数组合。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、1.5A电流条件下最大值为3欧姆，这一特性有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为8nC @ 10V，结合331pF @ 25V的输入电容（Ciss），意味着器件具备较快的开关速度，能够有效减少开关过程中的能量损失，这对于高频开关应用至关重要。其最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了较强的栅极驱动鲁棒性。

在接口与参数方面，AOU3N50采用标准的TO-251-3（IPAK）通孔封装，便于在PCB板上进行安装和散热管理。器件在壳温（Tc）条件下，连续漏极电流（Id）额定值为2.8A，最大功率耗散可达57W。其阈值电压Vgs(th)最大为4.5V @ 250A，属于标准逻辑电平驱动范畴，可与常见的控制器良好匹配。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取原装正品和技术支持。

基于其500V的耐压能力、适中的电流处理水平以及优化的开关特性，AOU3N50非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动以及各类AC-DC转换器中的高压开关环节。它在要求高可靠性、高效率的工业电源、家用电器电源板和辅助电源模块中，能够作为关键开关元件，实现高效的电能转换与控制。

• 制造商产品型号：AOU3N50
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 2.8A TO251-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.8A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：331pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：57W（Tc）
• 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOU3N50现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。