AOU3N50技术参数

AOU3N50是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面MOSFET技术，构建于高性能硅基之上，其核心设计旨在优化高电压下的导通与开关性能。其结构确保了在500V的高漏源电压（Vdss）下，依然能保持稳定的电气隔离和可靠的阻断能力，结温（TJ）工作范围宽达-50°C至150°C，为在严苛环境下的持续运行提供了保障。

该MOSFET的显著特性在于其平衡的性能参数组合。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、1.5A电流条件下最大值为3欧姆，这一特性有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为8nC @ 10V，结合331pF @ 25V的输入电容（Ciss），意味着器件具备较快的开关速度，能够有效减少开关过程中的能量损失，这对于高频开关应用至关重要。其最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了较强的栅极驱动鲁棒性。

在接口与参数方面，AOU3N50采用标准的TO-251-3（IPAK）通孔封装，便于在PCB板上进行安装和散热管理。器件在壳温（Tc）条件下，连续漏极电流（Id）额定值为2.8A，最大功率耗散可达57W。其阈值电压Vgs(th)最大为4.5V @ 250A，属于标准逻辑电平驱动范畴，可与常见的控制器良好匹配。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取原装正品和技术支持。

基于其500V的耐压能力、适中的电流处理水平以及优化的开关特性，AOU3N50非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动以及各类AC-DC转换器中的高压开关环节。它在要求高可靠性、高效率的工业电源、家用电器电源板和辅助电源模块中，能够作为关键开关元件，实现高效的电能转换与控制。

• 型号:AOU3N50
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 2.8A TO251-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:331 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:57W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251-3
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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