AOV15S60技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOV15S60 是一款采用先进 aMOS 技术平台的高压 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用紧凑的 4-DFN-EP（8x8）表面贴装封装，专为在严苛的电气环境下实现高效率、高可靠性的功率开关而设计。其核心架构基于优化的单元结构，旨在平衡高耐压与低导通损耗，通过精密的制造工艺确保了优异的电气特性与热性能。

该 MOSFET 具备 600V 的高漏源击穿电压 (Vdss)，为离线式开关电源、电机驱动等应用提供了充足的电压裕量。其导通电阻 (Rds(on)) 在 10V 栅极驱动电压、7.5A 漏极电流条件下典型值仅为 360 毫欧，这一特性有效降低了器件在导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。同时，其 栅极电荷 (Qg) 典型值低至 15.6nC，结合较低的输入电容 (Ciss)，有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，并降低对栅极驱动电路的要求，简化设计。

在接口与参数方面，AOV15S60 支持高达 ±30V 的栅源电压，增强了驱动电路的鲁棒性。其阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 3.8V，提供了良好的噪声抑制能力。该器件在壳温 (Tc) 条件下可支持高达 12A 的连续漏极电流，并具有 208W 的最大功率耗散能力，展现了出色的电流处理与散热性能。其工作结温范围宽达 -55°C 至 150°C，确保了在工业级温度环境下的稳定运行。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方授权的 AOS代理商 获取详细信息与供货支持。

凭借其高压、低导通电阻和快速开关的特性，AOV15S60 非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源 (SMPS) 的初级侧开关、功率因数校正 (PFC) 电路、照明镇流器、工业电机驱动与逆变器，以及不间断电源 (UPS) 系统。其紧凑的 DFN 封装也使其成为空间受限的现代电子设备的理想选择。

• 制造商产品型号：AOV15S60
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 520MA/12A 4DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：aMOS
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：520mA（Ta），12A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：360 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15.6nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：717pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：8.3W（Ta），208W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：4-DFN-EP（8x8）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOV15S60现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。