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AOW14N50技术参数

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AOW14N50技术参数详情说明:

作为AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)旗下的一款高性能功率器件,AOW14N50是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用成熟的平面MOSFET技术制造,封装于标准的TO-262通孔封装中。该器件基于优化的单元结构设计,旨在实现高耐压与低导通损耗之间的良好平衡,其核心在于通过精密的晶圆工艺控制,在保证500V高阻断电压的同时,有效降低了单位面积的导通电阻。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。高达500V的漏源击穿电压(Vdss)使其能够从容应对工业级AC-DC变换及电机驱动中的高压母线环境,提供充裕的电压裕量以增强系统可靠性。在导通特性方面,在结温(Tc)条件下其连续漏极电流(Id)额定值可达14A,配合仅380毫欧(@7A, 10V)的最大导通电阻(Rds(on)),意味着在导通期间能够显著降低传导损耗,提升整体能效。其栅极驱动设计友好,标准10V驱动电压即可获得优异的导通性能,而阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V,提供了良好的噪声抑制能力。此外,较低的栅极电荷(Qg,最大值51nC @10V)有助于减少开关过程中的驱动损耗,提升高频开关应用的效率,而高达278W(Tc)的功率耗散能力则确保了器件在重载条件下的热稳定性。

在接口与参数方面,AOW14N50提供了宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C结温),适应严苛的工业环境。其输入电容(Ciss)等动态参数经过优化,有助于简化栅极驱动电路的设计。对于需要可靠供应链与技术支持的项目,通过官方授权的AOS一级代理进行采购,是保障正品货源和获取完整技术资料的有效途径。TO-262封装提供了良好的机械强度和散热能力,便于通过PCB板进行安装和热管理。

凭借其高耐压、低导通电阻和高功率处理能力,这款MOSFET非常适用于要求高效率和高可靠性的功率电子领域。典型应用包括开关模式电源(SMPS)的PFC(功率因数校正)电路和主功率开关、电机驱动控制器中的逆变桥臂、不同断电源(UPS)的功率转换模块以及工业照明中的电子镇流器等。在这些场景中,它能够有效提升系统功率密度和能源利用效率,是工程师设计高性能、高性价比功率解决方案时的可靠选择。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOW14N50现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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