AON6411_001技术参数

制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-DFN（5x6）
技术参数：MOSFET P-CH 20V 47A/85A 8DFN
专注销售AOS电子元器件，承诺原装！现货当天发货！
您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购

点击下图下载技术文档

AON6411_001技术参数详情说明：

AON6411_001是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为在有限空间内实现高功率密度和高效率的应用而设计。其核心架构基于优化的单元设计和沟槽工艺，旨在显著降低导通电阻和栅极电荷，从而在开关应用中减少传导损耗和开关损耗，提升整体系统能效。

该MOSFET具备出色的电气特性。其漏源电压（Vdss）额定值为20V，适用于常见的12V及以下总线系统。在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）额定值高达47A（Ta），而在管壳温度下更可支持85A（Tc），展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）极低，在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，最大值仅为2.1毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的效率。栅极驱动特性同样优异，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.3V，而栅极电荷（Qg）在10V Vgs下最大值为330nC，较低的Qg值有助于简化驱动电路设计并提升开关速度。

在接口与参数方面，AON6411_001的栅源电压（Vgs）最大额定值为±12V，为栅极驱动提供了安全裕度。其输入电容（Ciss）在10V Vds下最大值为10290pF。器件的功率耗散能力在环境温度下为7.3W（Ta），在管壳温度下则高达156W（Tc），结合其低热阻封装，确保了在高温环境下的可靠运行。其宽泛的工作结温（TJ）范围为-55°C至150°C，使其能够适应严苛的工业环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，建议通过官方AOS授权代理进行采购和咨询。

凭借其高电流能力、超低导通电阻和快速开关特性，AON6411_001非常适合用于需要高效率电源管理的场景。典型应用包括服务器、通信设备的负载开关和电源路径管理，笔记本电脑和平板电脑的电池保护与充电电路，以及各类DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。其紧凑的DFN封装也使其成为空间受限的便携式电子设备和分布式电源系统的理想选择。