AOH3106技术参数

AOH3106是一款采用先进平面MOSFET技术制造的N沟道功率场效应晶体管，由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产。该器件采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，在-55°C至150°C的宽结温范围内保持稳定工作，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗的平衡，为空间受限的中等功率应用提供了高效的开关解决方案。

该芯片的100V漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对常见的24V、48V乃至更高电压的电源系统，提供充足的电压裕量以增强系统可靠性。在导通特性方面，当栅源驱动电压（Vgs）为10V时，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至360毫欧（在2A电流条件下），这意味着在导通状态下产生的功耗极低，有助于提升整体能效并减少热管理需求。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2V，结合4.5V至10V的推荐驱动电压范围，使其能够与标准逻辑电平（如3.3V或5V）的微控制器或驱动芯片轻松兼容，简化了外围电路设计。

在动态性能上，AOH3106表现出色。其栅极总电荷（Qg）在Vgs=10V时最大值仅为10nC，同时输入电容（Ciss）在Vds=50V时最大值为185pF，这些低电荷参数共同决定了快速的开关切换速度，能够有效降低开关损耗，尤其适用于频率较高的PWM控制场合。器件最大连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下为2A，最大允许功耗为3.1W，用户可通过AOS代理获取详细的热设计指南，以确保在实际应用中充分发挥其性能潜力。

凭借其稳健的电气参数和封装优势，这款MOSFET非常适合用于DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、负载开关以及各类电源管理模块。其SOT-223封装在提供良好散热能力的同时，也兼顾了PCB布局的灵活性，是工程师在追求高功率密度和可靠性的设计中的理想选择。

• 型号:AOH3106
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-223-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:185 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-4
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOH3106现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。