AOD472技术参数

AOD472是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，在紧凑的封装尺寸内实现了优异的电气性能与热性能平衡。其核心架构旨在优化功率转换效率，通过精心的芯片布局和封装设计，有效降低了寄生参数，为开关电源和电机驱动等应用提供了可靠的基础。

该器件具备多项突出的功能特点。其漏源击穿电压（Vdss）为25V，适用于常见的12V或24V总线系统。在25°C壳温（Tc）条件下，连续漏极电流（Id）额定值高达55A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）表现优异，在Vgs=10V、Id=30A的条件下，最大值仅为6毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极驱动特性经过优化，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，在Vgs=10V时的总栅极电荷（Qg）最大值控制在50nC，这有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

在接口与参数方面，AOD472的栅极可承受高达±20V的电压，为驱动设计提供了充足的裕量。其输入电容（Ciss）在Vds=12.5V时最大值为2460pF，是评估开关速度的重要参数。器件的热性能同样出色，在环境温度（Ta）下最大功耗为2.5W，而在壳温（Tc）条件下最大功耗可达60W，这得益于TO-252封装良好的热传导路径。其结温（Tj）工作范围宽广，为-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过AOS总代理获取相关的技术支持和供货信息。

基于其技术规格，AOD472非常适合于高效率DC-DC转换器、同步整流、电机驱动控制以及各类负载开关应用。其低导通电阻和高电流能力使其成为服务器电源、通信设备电源、电动工具和汽车辅助系统等场景中功率开关的理想选择，能够在提升能效的同时保证系统的长期可靠性。

• 制造商产品型号：AOD472
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 25V 55A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：25V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：55A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6 毫欧 @ 30A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：50nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2460pF @ 12.5V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），60W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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