AOWF14N50技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOWF14N50 是一款采用TO-262F封装的高性能N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在优化高电压下的导通与开关性能。其内部架构通过精心的单元布局和先进的沟槽工艺，实现了低栅极电荷与低导通电阻之间的出色平衡，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。高达500V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等应用中的高压应力环境。在导通特性方面，其在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为380毫欧（@7A），这直接降低了器件在导通状态下的功率损耗，有助于提升系统能效并简化散热设计。同时，最大栅极电荷（Qg）被控制在51nC（@10V），较低的Qg意味着驱动电路所需的开关能量更小，这不仅有助于降低驱动损耗，还能实现更高频率的开关操作，为电源设计的小型化提供了可能。

在接口与参数方面，AOWF14N50 标称连续漏极电流（Id）为14A（基于壳温Tc），最大栅源电压（Vgs）范围为±30V，提供了宽裕且安全的驱动裕量。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，确保了良好的噪声免疫能力。器件采用通孔安装的TO-262F封装，该封装具有良好的机械强度和散热能力，最大功率耗散为28W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了其在严苛环境下的可靠运行。如需获取详细的技术支持或采购信息，可以咨询官方授权的AOS代理。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性组合，AOWF14N50 非常适用于对效率和可靠性有高要求的功率电子领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不间断电源（UPS）以及各类照明镇流器。在这些场景中，它能够有效提升系统功率密度，降低运行温升，是实现高效、紧凑型电源解决方案的理想功率开关选择。

• 制造商产品型号：AOWF14N50
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 14A TO262F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：380 毫欧 @ 7A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：51nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2297pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：28W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：-
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOWF14N50现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。