AOWF190A60C技术参数

AOWF190A60C是Alpha & Omega Semiconductor (AOS)公司基于其先进的aMOS5技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的单元设计和先进的沟槽工艺，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的出色平衡，其核心架构通过精细的栅极和终端设计，有效降低了栅极电荷和开关损耗，从而提升了整体能效和功率密度。

该MOSFET具备多项关键特性，其600V的漏源击穿电压使其能够可靠地工作在高压离线式电源环境中。在导通特性方面，在10V驱动电压下，导通电阻典型值仅为190毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷Qg最大值控制在34nC，结合1935pF的输入电容，有助于实现快速开关并减少驱动电路的负担，这对于提升开关电源的效率和频率至关重要。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。

在接口与参数方面，器件采用标准的TO-262F（I2PAK）通孔封装，便于在散热器上安装以实现良好的热管理，其最大功率耗散能力为27W。驱动电压范围宽泛，栅源电压最大可承受±20V，而阈值电压Vgs(th)最大值为4.6V，提供了充足的噪声容限和稳定的开启特性。连续漏极电流在结温条件下可达20A，使其能够处理可观的功率等级。对于需要批量采购和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取完整的规格书、评估板以及设计指导。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，AOWF190A60C非常适合于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、电机驱动与逆变器、不间断电源（UPS）以及工业照明中的电子镇流器。在这些应用中，它能够有效提升系统效率，减少散热需求，并简化整体电源设计方案。

• 型号:AOWF190A60C
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO262F
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 7.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1935 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:27W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262F
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOWF190A60C现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。