AOWF7S65技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）aMOS产品系列中的一员，AOWF7S65是一款采用N沟道技术的高压功率MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET（金属氧化物）技术构建，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗之间的有效平衡。其650V的漏源电压（Vdss）额定值，使其能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压应力，为系统提供了宽裕的安全裕量。

在性能表现上，该器件在25°C壳温（Tc）下可提供高达7A的连续漏极电流（Id）。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压（Vgs）和3.5A测试条件下，最大值仅为650毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为9.2nC @ 10V，结合434pF @ 100V的输入电容（Ciss），意味着器件具备快速的开关特性，有助于降低开关过程中的损耗，并简化栅极驱动电路的设计。低Qg与低Rds(on)的结合，使其成为追求高效率应用的理想选择。

该MOSFET的接口与控制参数设计兼顾了鲁棒性与易用性。其栅源电压（Vgs）可承受±30V的最大值，增强了抗栅极噪声干扰的能力。阈值电压Vgs(th)最大值为4V @ 250A，提供了良好的噪声抑制能力，防止误触发。器件采用TO-262F通孔封装，便于在需要高可靠性的场合进行焊接安装。其最大功耗为25W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取完整的技术资料与供应链服务。

凭借其高压、高效的特点，AOWF7S65非常适用于各类离线式开关电源（SMPS）的功率级，如功率因数校正（PFC）电路、反激式或正激式变换器中的主开关管。此外，它也适用于电机驱动、工业照明（如HID灯电子镇流器）以及不间断电源（UPS）等需要高压功率开关的领域。尽管该型号已不适用于全新设计，但其成熟的性能和可靠性使其在既有产品维护、成本优化方案或特定存量市场中仍具有重要价值。

• 型号:AOWF7S65
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO262F
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:650 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:434 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262F
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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