AOY526技术参数

AOY526是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装形式为TO-251B（IPAK）。该器件设计用于在30V的漏源电压（Vdss）下工作，其核心优势在于极低的导通电阻与出色的电流处理能力。在壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）高达50A，而在环境温度（Ta）下也支持18A的连续电流，这使其在紧凑的封装内实现了高功率密度，有效减少了导通损耗和温升。

该MOSFET的栅极驱动特性经过优化，在10V的Vgs驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至5毫欧（在20A条件下测量），确保了高效的电能转换。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.4V，并与4.5V至10V的标准驱动电压范围良好兼容，便于由常见的逻辑电平或PWM控制器直接驱动，简化了系统设计。此外，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为33nC @ 10V，结合1550pF @ 15V的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，特别适合高频开关应用。

在电气参数方面，AOY526的栅源电压（Vgs）可承受±20V，提供了较强的栅极可靠性。其最大功耗在壳温（Tc）条件下可达50W，结合宽泛的结温工作范围（-55°C ~ 175°C），赋予了器件在恶劣环境下稳定运行的鲁棒性。TO-251B通孔封装提供了良好的机械强度和散热路径，便于在PCB上安装并通过散热器进行热管理。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取产品技术资料与采购支持。

凭借其低导通电阻、高电流能力、快速开关特性以及宽工作温度范围，AOY526非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、锂电池保护板以及各类电源管理模块。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的性能指标在同类产品中仍具有参考价值，适用于一些对特定批次有需求的存量项目或替代方案评估。

• 制造商产品型号：AOY526
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 18A/50A TO251B
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1550pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251B
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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