AOD2N60技术参数

AOD2N60 是一款由 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的平面工艺技术制造。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管设计，通过优化的单元结构和沟道工艺，在 TO-252（D-Pak）紧凑型表面贴装封装内实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。该器件专为在高压环境下高效、可靠地控制功率流而设计，其结构确保了在开关过程中具有稳定的电气特性和坚固的雪崩耐量。

该 MOSFET 具备多项关键电气特性，使其在高压应用中表现突出。高达 600V 的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源转换中常见的电压应力和浪涌。在 10V 驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为 11nC，结合适中的输入电容，意味着所需的驱动能量较小，有利于简化驱动电路设计并提升高频开关性能。其宽泛的工作结温范围（-50°C ~ 150°C）也保证了在苛刻环境下的稳定运行。

在接口与参数方面，AOD2N60 的标准驱动电压为 10V，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 4.5V，与常见的控制器逻辑电平兼容性好。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为 2A，最大功耗可达 56.8W，提供了充足的功率处理能力。表面贴装的 TO-252 封装不仅节省了 PCB 空间，还具有良好的散热特性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方 AOS授权代理 获取正品器件及相关设计资源。

基于其高压、高效和坚固的特性，AOD2N60 非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED 照明驱动以及家用电器和工业控制中的电机驱动辅助电源等场景。在这些应用中，它能够有效承担功率开关的核心角色，帮助系统实现高功率密度和高可靠性目标。

• 型号:AOD2N60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:325 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:56.8W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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