AO4286技术参数

AO4286是一款由Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS)设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的8-SOIC表面贴装封装内。该器件内部集成了优化的单元结构，旨在实现低栅极电荷与低导通电阻之间的出色平衡，其沟道设计有效降低了导通损耗，同时快速的开关特性得益于优化的内部寄生参数。这种架构使其在需要高效功率转换和控制的场合中表现出色，为系统设计提供了可靠的固态开关解决方案。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压(Vdss)和4A的连续漏极电流(Id)能力，确保了在中等电压和电流应用中的稳健性。其导通电阻在10V栅极驱动电压、4A漏极电流条件下典型值仅为68毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的整体效率。器件支持宽范围的栅极驱动电压，标准逻辑电平兼容，在4.5V至10V的Vgs范围内即可实现良好的导通，而栅极阈值电压Vgs(th)最大值为2.9V，便于与微控制器或逻辑电路直接接口。此外，其栅极电荷(Qg)最大值仅为10nC，输入电容(Ciss)最大值为390pF，这些低电荷特性显著降低了开关过程中的驱动损耗，提升了高频开关性能，并简化了栅极驱动电路的设计。

在电气接口与可靠性方面，AO4286的栅极可承受高达±20V的电压，提供了良好的抗干扰能力。其最大功耗为2.5W，结合8-SOIC封装良好的热性能，能够有效管理工作中产生的热量。器件的工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方AOS授权代理获取正品器件、详细的技术资料以及设计协助。

凭借其性能参数组合，AO4286非常适合应用于多种功率管理场景。它常被用于DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护模块以及各类负载开关。在服务器电源、工业自动化设备、消费类电子产品的电源子系统以及电动工具中，都能找到其用武之地，为提升系统能效和功率密度提供关键支持。

• 制造商产品型号：AO4286
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 4A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：68 毫欧 @ 4A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.9V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：390pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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