AO3487技术参数

AO3487是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进平面MOSFET技术制造的P沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的SOT-23-3表面贴装封装，其核心设计旨在实现低导通损耗与高效率的功率开关控制。其内部架构优化了沟道电阻与栅极电荷的平衡，使得在较小的驱动电压下即可获得优异的导通性能，这对于提升系统整体能效和简化驱动电路设计至关重要。

该器件的一个突出特性是其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅源电压（Vgs）和4.3A漏极电流（Id）条件下，最大值仅为48毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为15nC，结合520pF的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的栅极驱动损耗和开关延迟都非常小，特别适合高频开关应用。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.4V，确保了与低电压逻辑电平（如3.3V或5V）微控制器的良好兼容性，无需复杂的电平转换电路。

在电气参数方面，AO3487的额定漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下可达4.3A，最大功耗为1.4W。其栅源电压耐受范围宽达±20V，提供了较强的抗栅极过压能力。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的AOS一级代理进行采购是获得正品保障和完整供应链服务的重要途径。

凭借其高性能和小尺寸，AO3487非常适合用于空间受限且对效率要求高的场合。典型应用包括作为负载开关或电源路径管理器件，用于电池供电设备（如便携式电子产品、物联网终端）中实现系统模块的供电通断控制。它也常被用于DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，以及电机驱动、LED照明驱动等电路中的功率切换部分。其SOT-23-3封装便于自动化贴片生产，有助于降低整体系统成本和尺寸。

• 制造商产品型号：AO3487
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.3A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：48 毫欧 @ 4.3A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：520pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：SOT-23-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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