AOTF12T50P技术参数

AOTF12T50P 是一款由 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用成熟的平面型金属氧化物半导体场效应晶体管技术。该器件采用标准 TO-220-3F 通孔封装，其核心设计旨在提供高耐压与高效率的平衡，适用于需要处理中高功率的开关应用。其内部架构优化了单元密度与导通电阻的关系，确保了在高压条件下依然能实现较低的传导损耗。

该 MOSFET 的突出特性在于其 500V 的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级电源中常见的电压应力和开关尖峰。在 25°C 壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为 12A，具备可观的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在典型驱动条件下表现出色，在 Vgs=10V、Id=6A 时最大值仅为 500 毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在 32nC @ 10V，结合 ±30V 的最大栅源电压（Vgs）耐受能力，意味着它既能被快速驱动以降低开关损耗，又具备良好的栅极可靠性。

在电气参数方面，AOTF12T50P 的阈值电压（Vgs(th)）最大值为 5V @ 250A，确保了与标准逻辑电平或栅极驱动器的良好兼容性。其输入电容（Ciss）在 Vds=100V 时最大值为 1477pF，这是评估开关速度与驱动需求的关键参数。器件的最大功率耗散为 43W（Tc），工作结温范围覆盖 -55°C 至 150°C，展现了宽温域下的稳定工作潜力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的 AOS总代理 获取详细的产品技术资料与库存信息。

基于其性能组合，该器件非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器以及不间断电源（UPS）等场景。其 TO-220-3F 封装便于安装在散热器上，有效管理在高功率耗散时产生的热量，是工业控制、能源转换和家用电器中功率开关部分的经典选择之一。

• 制造商产品型号：AOTF12T50P
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 12A TO220-3F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：500 毫欧 @ 6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：32nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1477pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：43W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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