AOD950A70技术参数

AOD950A70是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的aMOS5技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面MOSFET结构，通过优化的单元设计和工艺制程，在700V的高压等级下实现了导通电阻与栅极电荷的良好平衡，旨在为高效率、高可靠性的功率转换应用提供核心开关解决方案。

该MOSFET的核心优势在于其出色的静态与动态性能参数。其漏源击穿电压（Vdss）高达700V，确保了在离线式电源等高压环境下的安全裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为5A，结合950毫欧（@10V Vgs, 1A Id）的低导通电阻（Rds(on)），能够有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为10nC（@10V Vgs），较低的输入电容（Ciss）有助于减少开关过程中的驱动损耗，并允许使用更简洁的驱动电路，从而优化开关速度并降低电磁干扰（EMI）。

在接口与参数方面，AOD950A70的栅极驱动电压（Vgs）范围为±20V，标准驱动电压为10V，其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.1V，提供了良好的噪声抑制能力和稳定的开关特性。器件采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，这种封装形式具有良好的散热性能和功率处理能力，其最大功率耗散为56.5W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，能够适应严苛的工作环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方AOS授权代理进行采购与咨询。

凭借700V的高耐压、5A的电流能力以及优化的开关特性，AOD950A70非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动电源以及工业电机驱动中的辅助电源等。其稳健的设计使其成为工程师在开发AC-DC转换器、适配器和各类离线式电源产品时的可靠选择。

• 型号:AOD950A70
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 5A TO252
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:461 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:56.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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