AO4202_120技术参数

AO4202_120是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率器件，采用紧凑的8-SOIC表面贴装封装。其核心架构基于优化的单元设计，在硅片层面实现了低导通电阻与快速开关特性的良好平衡。该器件集成了一个高效的体二极管，为感性负载下的电流续流提供了低损耗路径，增强了系统在开关应用中的可靠性。

在电气性能方面，该MOSFET具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和在25°C环境温度下达19A的连续漏极电流（Id）能力，展现了其稳健的功率处理水平。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压（Vgs）和19A电流条件下，最大值仅为5.3毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.3V，配合最大35nC的低栅极电荷（Qg），意味着它能够被标准逻辑电平（如5V）轻松驱动，同时实现快速的开关瞬态，有助于减少开关损耗并提升工作频率。

该器件的接口特性使其易于集成到现代电子系统中。其栅极可承受高达±20V的电压，提供了良好的抗干扰能力。输入电容（Ciss）在15V Vds下最大为2200pF，与低Qg共同确保了简洁的驱动电路设计。其最大功耗为3.1W（Ta），结合-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，使其能够适应从消费电子到工业控制等多种环境要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方指定的AOS中国代理获取详细的技术支持与供货信息。

基于其参数组合，AO4202_120非常适合应用于对效率和空间均有要求的DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护电路等场景。例如，在同步整流或高频降压转换器中，其低Rds(on)和快速开关特性有助于提升整体能效；在电机控制中，其集成的体二极管和稳健的电流能力确保了驱动的可靠性。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的性能平衡，依然是同类应用中的一个经典参考。

• 制造商产品型号：AO4202_120
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：19A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.3 毫欧 @ 19A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 15V
• FET功能：肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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