AOTF11N70技术参数

制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-220-3F
技术参数：MOSFET N-CH 700V 11A TO220-3F
专注销售AOS电子元器件，承诺原装！现货当天发货！
您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购

点击下图下载技术文档

AOTF11N70技术参数详情说明：

AOTF11N70是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于TO-220-3F通孔封装中。该器件专为高电压、高效率的功率开关应用而设计，其核心架构基于优化的单元设计和工艺，旨在实现低导通电阻与高开关速度之间的良好平衡，从而在严苛的工作条件下提供稳定可靠的性能。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其700V的高漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）电路等应用中的高压应力和电压尖峰，显著提升了系统的可靠性和安全性。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为870毫欧（在5.5A条件下），这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为45nC（@10V），结合2150pF的输入电容（Ciss），意味着栅极驱动损耗低，开关速度快，有利于提高开关频率并简化驱动电路设计。

在电气参数与接口方面，AOTF11N70在壳温（Tc）下连续漏极电流（Id）额定值为11A，最大功耗为50W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在高温环境下的稳定运行能力。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，提供了充足的驱动安全裕量。标准的TO-220-3F封装不仅提供了优异的散热性能，便于安装散热器，也使其与广泛的现有PCB布局和装配流程兼容。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方AOS授权代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关的综合优势，AOTF11N70非常适用于要求苛刻的功率电子领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动和逆变器的功率级，以及不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中的功率转换模块。在这些应用中，它能够有效提升功率密度，降低系统温升，是实现高能效、高可靠性电源解决方案的关键元器件之一。