AON6524技术参数

AON6524是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装型封装内。该器件基于优化的单元结构设计，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性之间的平衡，其核心架构通过精细的沟道与终端设计，有效降低了寄生电容和栅极电荷，从而提升了在高频开关应用中的整体效率。

在电气性能方面，AON6524展现出卓越的功率处理能力。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，能够满足多种中低压应用场景的需求。该MOSFET的导通电阻（Rds(On)）在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，最大值仅为5毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗和更高的能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值在10V条件下为23nC，较低的Qg值有助于降低栅极驱动电路的损耗并提升开关速度，配合1080pF @ 15V的最大输入电容（Ciss），使其非常适合需要快速切换的场合。

器件的电流承载能力根据散热条件不同而有所区别：在环境温度（Ta）25°C下，连续漏极电流（Id）为27A；而在管壳温度（Tc）25°C下，该值可高达68A，这突显了其强大的电流处理潜力和对有效散热设计的依赖性。其最大栅源电压（Vgs）为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。阈值电压Vgs(th)最大值为2.3V @ 250A，属于标准逻辑电平兼容范围，便于由常见的控制器直接驱动。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取产品技术与供货信息。

综合其参数特性，AON6524主要面向对效率和功率密度有较高要求的直流-直流（DC-DC）转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块。其优异的Rds(On)和Qg组合，使其在同步整流、负载开关及POL（负载点）转换器中能够有效降低系统功耗，提升整体性能。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的技术思路和性能标杆，对于理解同类高性能MOSFET的选型与应用仍具有重要的参考价值。

• 型号:AON6524
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 27A/68A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Ta），68A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1080 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5.7W（Ta），35.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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