AO4886技术参数

制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：MOSFET 2N-CH 100V 3.3A 8SOIC
专注销售AOS电子元器件，承诺原装！现货当天发货！
您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购

点击下图下载技术文档

AO4886技术参数详情说明：

AO4886是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的双N沟道功率MOSFET阵列，采用紧凑的8-SOIC表面贴装封装。该器件集成了两个独立的增强型MOSFET，其核心架构基于先进的平面工艺技术，旨在实现高电压下的高效开关与低导通损耗。每个通道均具备独立的源极和漏极引脚，为电路设计提供了灵活的布局选项，特别适合需要空间优化的高密度PCB应用。

该芯片的功能特点突出体现在其100V的漏源击穿电压（Vdss）与逻辑电平门驱动能力上。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.7V，确保了其能够与常见的3.3V或5V微控制器及逻辑电路直接兼容，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压、3A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至80毫欧，这直接转化为更低的导通状态功率损耗和更高的整体能效。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为20nC，输入电容（Ciss）也得到有效控制，这些特性共同促成了快速的开关瞬态响应，有助于降低开关损耗并提升高频应用的性能。

在电气参数与接口方面，AO4886的每个N沟道MOSFET在环境温度为25°C时可持续通过3.3A的漏极电流，最大功耗为2W。其宽泛的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的可靠运行。标准的8-SOIC封装不仅便于自动化贴装生产，也提供了良好的热性能。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理进行采购与咨询。

基于其高耐压、低导通电阻和逻辑电平驱动的综合优势，AO4886非常适合应用于需要高效功率管理和开关控制的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或高边/低边开关、电机驱动电路中的H桥或半桥配置、电池保护电路以及各类电源管理单元（PMU）。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在既有系统维护或特定存量项目设计中仍具参考价值。