AO6402A_201技术参数

AO6402A_201 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 设计生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的平面 MOSFET 技术，在紧凑的 6-TSOP 封装内实现了优异的电气性能平衡。其核心设计旨在提供低导通电阻与快速开关特性，这对于提升功率转换效率和降低开关损耗至关重要。内部结构优化了电荷控制，使得栅极电荷 (Qg) 保持在较低水平，有助于简化驱动电路设计并提升高频应用下的性能。

在功能表现上，该器件具备 30V 的漏源击穿电压 (Vdss) 和高达 7.5A 的连续漏极电流 (Id) 能力。其关键特性在于，在 10V 驱动电压 (Vgs) 下，导通电阻 (Rds(on)) 最大值仅为 24 毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其阈值电压 (Vgs(th)) 典型值较低，确保了在逻辑电平驱动下的良好兼容性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取产品技术与供货信息。

接口与参数方面，AO6402A_201 采用表面贴装型 (SMD) 的 6-TSOP 封装，非常适合高密度 PCB 布局。其栅极-源极电压 (Vgs) 最大额定值为 ±20V，提供了安全的操作裕量。输入电容 (Ciss) 在 15V Vds 下最大值为 448pF，结合较低的栅极电荷，共同决定了其快速的开关瞬态响应。器件的结温 (Tj) 工作范围宽广，从 -55°C 到 150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行，最大功耗为 2W (Ta)。

凭借其性能组合，该 MOSFET 广泛应用于空间受限且对效率要求较高的场景。典型应用包括 DC-DC 转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制电路、电池保护模块以及各类便携式电子设备的电源管理单元。其出色的电流处理能力和紧凑的封装形式，使其成为现代高效、紧凑型电源解决方案中的可靠选择。

• 制造商产品型号：AO6402A_201
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 7.5A 6TSOP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7.5A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：11nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：448pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：6-TSOP
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AO6402A_201现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。