AO6800技术参数

AO6800是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进工艺制造的N沟道双MOSFET阵列。该器件采用紧凑的6引脚TSOP（SC-74，SOT-457）封装，集成了两个独立的增强型MOSFET，专为高密度、高效率的电源管理和负载开关应用而优化。其核心架构基于逻辑电平门驱动设计，使得该芯片能够被微控制器或低电压数字信号（低至1.5V）直接、高效地驱动，极大地简化了前级驱动电路的设计，并降低了系统整体功耗。

在电气性能方面，AO6800展现出卓越的能效特性。每个MOSFET通道在10V栅源电压（Vgs）和3.4A漏极电流（Id）条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为60毫欧，这一低导通电阻直接转化为更低的传导损耗和发热量，提升了系统的整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为10nC @ 10V，输入电容（Ciss）最大值为235pF @ 15V，这些低栅极电荷和输入电容的特性意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，特别适用于高频开关应用，有助于进一步优化电源转换效率。

该器件具备30V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量，确保在常见12V或24V总线系统中的稳定可靠运行。其连续漏极电流额定值为3.4A，最大功耗为1.15W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的鲁棒性。其表面贴装型封装符合现代自动化生产要求，便于集成到空间受限的PCB设计中。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方AOS授权代理获取原装正品和技术支持。

基于其双通道、逻辑电平、高效率和小尺寸的综合优势，AO6800非常适合应用于对空间和效率有严格要求的领域。典型应用包括便携式设备的负载开关与电源路径管理、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关、电机驱动中的H桥电路、电池保护电路以及各类需要紧凑型双开关解决方案的消费电子和工业控制模块中。

• 制造商产品型号：AO6800
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 30V 3.4A 6-TSOP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：不用於新
• FET类型：2 N-通道（双）
• FET功能：逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.4A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 3.4A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10nC @ 10V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：235pF @ 15V
• 功率-最大值：1.15W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：SC-74，SOT-457
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AO6800现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。