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AOKS40B60D1技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
  • 技术参数:IGBT 600V 40A TO247
  • 专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!
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AOKS40B60D1技术参数详情说明:

AOKS40B60D1是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的Alpha IGBT系列中的一款高性能绝缘栅双极型晶体管。该器件采用优化的沟槽栅场截止(Trench Field Stop)技术,在单芯片上集成了快速恢复二极管(FRD)。这种架构在保持IGBT高电流密度和低饱和压降优点的同时,通过精细的载流子寿命控制与电场分布设计,显著改善了开关特性,特别是在关断过程中拖尾电流的抑制,从而有效降低了开关损耗。

该器件在15V栅极驱动电压、40A集电极电流条件下,最大饱和压降(Vce(on))仅为2.4V,体现了其优异的导通效率。其开关能量参数尤为突出,开启能量(Eon)为1.55mJ,关断能量(Eoff)低至300J,结合29ns(开启)与74ns(关断)的典型延迟时间,使其非常适合高频开关应用。低栅极电荷(45nC)特性降低了对驱动电路的要求,有助于简化系统设计并提升可靠性。其集电极-发射极击穿电压高达600V,最大连续工作电流(Ic)为80A,脉冲电流(Icm)可达140A,最大功耗为278W,采用坚固的TO-247-3通孔封装,工作结温范围覆盖-55°C至150°C,确保了在严苛环境下的稳定运行。

在接口与参数层面,AOKS40B60D1作为标准输入型IGBT,与多数主流栅极驱动器兼容。其电气参数在400V总线电压、40A负载电流、7.5欧姆栅极电阻及15V驱动电压的标准条件下测试得出,为设计人员提供了可靠的参考依据。对于需要稳定供应链和技术支持的客户,可以通过AOS中国代理获取该产品的详细资料、样品及采购服务。

基于其高耐压、大电流、低损耗及快速开关的综合性能,AOKS40B60D1主要面向要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括工业电机驱动、变频器、不同断电源(UPS)、太阳能逆变器以及焊接设备等功率转换系统。在这些领域中,它能够有效提升系统能效,减少散热需求,并有助于实现设备的小型化与轻量化设计。

  • 制造商产品型号:AOKS40B60D1
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:IGBT 600V 40A TO247
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:Alpha IGBT
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):80A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):140A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A
  • 功率-最大值:278W
  • 开关能量:1.55mJ(开),300J(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:45nC
  • 25°C时Td(开/关)值:29ns/74ns
  • 测试条件:400V、 40A、 7.5 欧姆、 15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOKS40B60D1现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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