AOI516技术参数

AOI516是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装形式为TO-251A（IPAK）。该器件构建于优化的硅基工艺之上，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其核心架构通过精细的单元设计和先进的制造工艺，有效降低了栅极电荷和寄生电容，从而提升了整体能效和开关频率响应能力，使其在需要高效功率转换的场合表现出色。

在电气特性方面，AOI516具备30V的漏源击穿电压，提供了充足的电压裕度。其导通电阻在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下典型值仅为5毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。该器件支持宽范围的栅极驱动电压，标准驱动电平为4.5V至10V，而栅极阈值电压最大值为2.2V，确保了与常见逻辑电平或PWM控制器的良好兼容性。此外，其最大栅极电荷仅为33nC，有助于降低驱动电路的损耗并实现更快的开关速度。

器件的额定电流根据散热条件有所不同：在环境温度下连续漏极电流为18A，而在管壳温度下则可高达46A，这突显了其强大的电流处理能力和对散热设计的依赖性。其最大功耗在环境温度下为2.5W，在管壳温度下可达50W。该MOSFET的工作结温范围宽达-55°C至175°C，保证了其在严苛环境下的可靠性。对于采购与技术支持，用户可以通过官方授权的AOS代理获取详细的产品资料、样品以及应用支持。

基于其参数组合，AOI516非常适用于中低电压、大电流的开关应用。典型应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、锂电池保护板以及各类电源管理模块。其TO-251A通孔封装兼顾了功率处理能力和PCB板空间，适合在消费电子、工业控制及汽车辅助系统等领域的功率电路中实现高效、紧凑的设计。

• 制造商产品型号：AOI516
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO251A
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta），46A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1229pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251A
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOI516现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。