AO6802技术参数

AO6802是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽MOSFET技术制造的双N沟道功率MOSFET阵列。该器件采用紧凑的6引脚TSOP（SC-74，SOT-457）表面贴装封装，集成了两个独立的增强型MOSFET，为空间受限的现代电子设计提供了高集成度的解决方案。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，实现了在小型封装内的高电流处理能力和出色的开关性能。

该芯片的一个显著特点是其逻辑电平门驱动能力，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，这意味着它可以被常见的3.3V或5V微控制器GPIO端口直接、高效地驱动，无需额外的电平转换或复杂的驱动电路，从而简化了系统设计并降低了整体BOM成本。同时，在10V栅源电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至50毫欧（@3.5A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的能效，有助于减少发热并提升系统可靠性。

在电气参数方面，AO6802的漏源击穿电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）额定值为3.5A，能够满足多数中低功率应用的需求。其开关特性同样出色，栅极电荷（Qg）最大值仅为5nC，输入电容（Ciss）最大值为210pF，这些低电荷参数确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，特别适合高频PWM控制的应用场景。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过AOS中国代理获取该产品的详细信息与供货支持。

基于其紧凑的双通道设计、优异的导通与开关特性以及宽泛的工作温度，AO6802非常适合应用于对空间和效率有双重要求的领域。典型应用包括便携式设备的负载开关与电源管理、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关、电机驱动模块中的H桥电路、以及电池保护板等。它为设计工程师提供了一种高性能、高可靠性的集成化功率开关解决方案。

• 制造商产品型号：AO6802
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6-TSOP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：2 N-通道（双）
• FET功能：逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.5A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：5nC @ 10V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：210pF @ 15V
• 功率-最大值：1.15W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：SC-74，SOT-457
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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