AO7400技术参数

AO7400是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的SC-70-3（SOT-323）表面贴装封装，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能平衡，其设计核心在于优化功率转换效率与空间利用率，适用于对尺寸和效率有严格要求的现代电子设备。

该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs驱动下典型值仅为85毫欧（@1.5A），这一低导通特性有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.4V，结合较低的栅极电荷（Qg，最大值4.82nC @ 4.5V）和输入电容（Ciss），确保了器件具备快速的开关速度和出色的驱动效率，特别适合高频开关应用，有助于简化栅极驱动电路设计并减少开关损耗。

在电气参数方面，AO7400具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和1.7A的连续漏极电流（Id）能力，为其在低压电源环境中提供了可靠的工作余量。其栅源电压（Vgs）可承受±12V，增强了抗栅极过压冲击的鲁棒性。器件的功率耗散能力为350mW，宽泛的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了其在苛刻环境下的稳定性和长寿命。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其小尺寸、低导通电阻和快速开关特性，该MOSFET广泛应用于便携式电子设备的电源管理模块，如DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电池保护电路、电机驱动控制以及各类需要高效功率切换的消费类电子产品中。其SC-70-3封装非常适合高密度PCB布局，是空间受限型设计的理想选择。

• 制造商产品型号：AO7400
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 1.7A SC70-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.7A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：85 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：4.82nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：390pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：350mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：SC-70-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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