AOTS21319C技术参数

AOTS21319C是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计制造的P沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术，集成于紧凑的6-TSOP封装内。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，内部集成了体二极管，为感性负载提供续流路径，增强了应用的可靠性。

该器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值低至100毫欧，这一特性确保了在2.7A连续漏极电流下，导通损耗被显著降低，从而提升了系统的整体能效。其栅极阈值电压最大值为2.2V，结合最大±20V的栅源电压耐受能力，使其能够兼容广泛的逻辑电平与驱动电路，设计灵活性高。同时，较低的栅极电荷（最大12nC @ 10V）和输入电容（最大320pF @ 15V）有效减少了开关过程中的驱动损耗和开关延迟，特别适合高频开关应用。

在电气参数方面，AOTS21319C具备30V的漏源击穿电压，为低压电源总线提供了充足的安全裕量。其额定工作结温范围宽达-55°C至150°C，结合表面贴装（SMT）的6-TSOP封装形式，使其能够适应严苛的工业环境并满足高密度PCB布局的需求。最大功率耗散为1.2W，在设计中需结合散热条件进行考量。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取完整的供应链服务与设计资源。

凭借其性能组合，AOTS21319C非常适合应用于需要高效率功率管理的场景。典型应用包括直流-直流转换器中的负载开关、电源路径管理、电池供电设备的反向极性保护，以及电机驱动、LED照明等系统中的低侧或高侧开关。其P沟道特性简化了栅极驱动设计，在由正电源直接驱动的电路中尤为便利。

• 制造商产品型号：AOTS21319C
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.7A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 2.7A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：320pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.2W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：6-TSOP
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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