AOB380A60CL技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下aMOS5产品系列的一员，AOB380A60CL是一款采用先进的平面MOSFET技术制造的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用TO-263（D2Pak）表面贴装封装，专为在高电压、高功率密度应用中实现高效、可靠的开关操作而设计。其核心架构基于优化的单元设计和工艺，旨在显著降低导通损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。

该芯片具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达600V，确保了在工业级AC-DC电源、电机驱动等高压环境下的稳定运行。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为11A，展现了强大的电流处理能力。尤为关键的是，其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、5.5A电流条件下典型值仅为380毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在20nC（@10V），结合955pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有利于提高开关频率并简化驱动电路设计。

在接口与参数方面，AOB380A60CL的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压（Vgs）可承受±20V，提供了良好的设计余量和抗干扰能力。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.8V，具备良好的噪声抑制特性。器件的最大功耗为131W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛温度环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理进行采购与咨询。

基于其高性能参数，该MOSFET非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、不间断电源（UPS）、工业电机驱动与变频器、太阳能逆变器以及各类照明镇流器。在这些应用中，其低Rds(On)和高Vdss的组合能够有效降低系统能耗，提升功率密度，同时其稳健的封装和宽温工作范围保障了终端产品在各种环境下的长期稳定运行。

• 型号:AOB380A60CL
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:955 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:131W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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