AOB414_001技术参数

AOB414_001 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其成熟的 SDMOS 技术平台开发的一款 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺和优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的良好平衡，其核心架构确保了在高压开关应用中具备高效的能量转换能力和可靠的鲁棒性。

该 MOSFET 的额定漏源电压（Vdss）为 100V，能够稳定工作在多种中压电源拓扑中。其导通电阻（Rds(on)）在 Vgs=10V、Id=20A 的典型工作条件下，最大值仅为 25 毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，器件具有优异的栅极电荷特性，栅极总电荷（Qg）在 Vgs=10V 时最大值为 34nC，结合 2200pF 的典型输入电容（Ciss @ 50V），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，实现更快的开关频率。

在电气参数方面，AOB414_001 提供了灵活的电流承载能力，在环境温度（Ta）25°C 下连续漏极电流（Id）为 6.6A，而在借助 DPak（TO-263）封装优良散热性能的条件下，其结温（Tc）下的连续电流可达 51A，最大功耗为 150W。其栅源驱动电压（Vgs）范围宽至 ±25V，阈值电压（Vgs(th)）最大为 4V @ 250A，确保了与常见控制器良好的兼容性和抗干扰能力。器件的工作结温范围覆盖 -55°C 至 175°C，适用于严苛的环境要求。

凭借其高电压、低导通电阻、快速开关以及出色的热性能，AOB414_001 非常适用于开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流/同步整流、电机驱动控制、DC-DC 转换器以及各类工业电源模块中的功率开关应用。对于需要可靠元器件供应和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取详细的产品资料、样品以及设计协助。

• 制造商产品型号：AOB414_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 6.6A/51A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SDMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：6.6A（Ta），51A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：34nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（DPak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOB414_001现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。