AOD482技术参数

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，AOD482采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术，其核心架构旨在实现高效率与高可靠性的功率开关控制。该器件基于成熟的平面工艺，通过优化的单元设计，在确保高击穿电压的同时，有效降低了导通电阻和栅极电荷，从而在开关损耗和传导损耗之间取得了出色的平衡。

在功能特性方面，100V的漏源电压（Vdss）使其能够从容应对多种中压应用环境，提供充足的电压裕量。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs、10A Id条件下典型值仅为37毫欧，这意味着在导通状态下能够显著降低功率损耗，提升系统整体效率。同时，最大栅极电荷（Qg）低至44nC，结合2.7V（最大值）的低栅极阈值电压（Vgs(th)），使得该MOSFET易于驱动，能够实现快速开关，减少开关过程中的能量损失，特别适合高频开关应用。

该器件提供了灵活的接口与参数适应性。它采用标准的TO-252（D-Pak）表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产装配。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。值得注意的是，其电流承载能力根据散热条件不同而变化，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流可达32A，而在环境温度（Ta）下为5A，这要求设计者在进行热管理时需充分考虑实际散热条件。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理进行采购与咨询。

凭借其优异的电气性能和封装特性，AOD482非常适合应用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动控制、电源管理模块以及各类开关电源，如适配器、工业电源和车载电子设备等。在这些应用中，它能够有效提升能效，减少热量产生，并增强系统的功率密度与可靠性。

• 制造商产品型号：AOD482
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 5A/32A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Ta），32A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：37 毫欧 @ 10A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：44nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2000pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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