AOD482技术参数

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，AOD482采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术，其核心架构旨在实现高效率与高可靠性的功率开关控制。该器件基于成熟的平面工艺，通过优化的单元设计，在确保高击穿电压的同时，有效降低了导通电阻和栅极电荷，从而在开关损耗和传导损耗之间取得了出色的平衡。

在功能特性方面，100V的漏源电压（Vdss）使其能够从容应对多种中压应用环境，提供充足的电压裕量。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs、10A Id条件下典型值仅为37毫欧，这意味着在导通状态下能够显著降低功率损耗，提升系统整体效率。同时，最大栅极电荷（Qg）低至44nC，结合2.7V（最大值）的低栅极阈值电压（Vgs(th)），使得该MOSFET易于驱动，能够实现快速开关，减少开关过程中的能量损失，特别适合高频开关应用。

该器件提供了灵活的接口与参数适应性。它采用标准的TO-252（D-Pak）表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产装配。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。值得注意的是，其电流承载能力根据散热条件不同而变化，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流可达32A，而在环境温度（Ta）下为5A，这要求设计者在进行热管理时需充分考虑实际散热条件。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理进行采购与咨询。

凭借其优异的电气性能和封装特性，AOD482非常适合应用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动控制、电源管理模块以及各类开关电源，如适配器、工业电源和车载电子设备等。在这些应用中，它能够有效提升能效，减少热量产生，并增强系统的功率密度与可靠性。

• 型号:AOD482
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 5A/32A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Ta），32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:37 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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