AOB480L技术参数

AOB480L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其成熟的SDMOS技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺制造，其核心设计旨在优化功率密度与开关效率的平衡。其80V的漏源击穿电压（Vdss）为系统提供了宽裕的安全工作裕度，而TO-263（DPak）封装则确保了器件在表面贴装应用中的机械稳固性和出色的热管理能力，其外壳（Tc）条件下的最大功率耗散可达333W，为处理高瞬态功率提供了坚实基础。

该MOSFET的关键电气性能体现在其极低的导通损耗与优秀的开关特性上。在10V栅极驱动电压（Vgs）下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至4.2毫欧（@20A），这一特性直接转化为更低的通态压降和导通功耗，显著提升了系统的整体能效。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在140nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低驱动电路的损耗并实现更快的开关速度，这对于高频开关电源应用至关重要。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±25V，增强了驱动电路的鲁棒性。

在接口与参数方面，AOB480L定义了明确的工作边界。其连续漏极电流在环境温度（Ta）下额定为15A，而在借助封装良好散热的外壳温度（Tc）条件下，该值可高达180A，这突显了其强大的峰值电流处理能力与散热设计的重要性。器件的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。宽广的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）使其能够适应严苛的工业环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取完整的技术支持与供货信息。

凭借上述特性，AOB480L非常适用于对效率、功率密度和可靠性有较高要求的场合。其典型应用领域包括工业级开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动与控制系统中的H桥或半桥拓扑、以及各类DC-DC转换器和逆变器模块。其优异的电气与热性能使其成为中高功率密度设计中，实现高效电能转换与管理的可靠选择。

• 制造商产品型号：AOB480L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 80V 15A/180A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SDMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：80V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta），180A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：140nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7820pF @ 40V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.9W（Ta），333W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（DPak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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