AOD280A60技术参数

AOD280A60是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的aMOS5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的单元结构和先进的沟槽工艺，旨在实现高耐压、低导通电阻与快速开关特性的理想平衡。其核心设计理念是通过降低单位面积的比导通电阻（Rsp）和栅极电荷（Qg），从而在600V的高压应用中显著降低传导损耗和开关损耗，提升系统整体能效。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。高达600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业及消费类电源中常见的交流线路电压波动与开关尖峰。在结温（Tc）25°C条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为14A，提供了可观的电流处理能力。尤为关键的是，其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压（Vgs）、7A漏极电流条件下典型值仅为280毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的通态压降与发热量。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为23.5nC（@10V），结合1350pF的输入电容（Ciss），意味着所需的栅极驱动能量更小，有利于实现更高频率的开关操作并简化驱动电路设计。

在封装与接口方面，AOD280A60采用行业标准的TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有良好的散热性能和便捷的自动化贴装适应性。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±20V的栅源电压，为驱动电路设计提供了灵活性。器件的安全工作区（SOA）宽广，在Tc条件下最大功耗可达138W，结合其-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了其在苛刻环境下的长期可靠性。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取完整的供应链服务与设计资源。

凭借其高性能与高可靠性，AOD280A60非常适用于要求高效率和高功率密度的开关电源（SMPS）拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、反激式（Flyback）和LLC谐振转换器。它也常见于电机驱动控制、工业照明（如LED驱动）、不间断电源（UPS）以及家用电器中的逆变器模块。在这些应用中，其优异的开关性能和稳健性有助于提升终端产品的能效等级、功率密度和长期运行稳定性。

• 制造商产品型号：AOD280A60
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 14A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：aMOS5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：280 毫欧 @ 7A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1350pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：138W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252（DPAK）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD280A60现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。