AON6794技术参数

AON6794是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术制造。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为在有限空间内要求高效率和高功率密度的应用而设计。其核心架构基于优化的单元设计和工艺，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性之间的卓越平衡，从而在电源转换和功率管理电路中显著降低传导损耗和开关损耗。

该MOSFET的突出特性在于其优异的电气参数。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。在25°C环境温度（Ta）下，连续漏极电流（Id）可达39A，而在管壳温度（Tc）条件下更能支持高达85A的电流，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，最大值仅为2.8毫欧，这一极低的Rds(On)值是实现高效率的关键，能有效减少导通状态下的功率耗散。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为37.5nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低驱动损耗并实现更快的开关速度，这对于高频开关应用至关重要。

在接口与工作条件方面，AON6794的标准驱动电压范围为4.5V至10V，与常见的逻辑电平或标准驱动IC兼容，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.9V @ 250A。器件栅源电压（Vgs）最大可承受±12V，提供了安全的驱动裕量。其工作结温（TJ）范围宽广，从-55°C到150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。最大功率耗散在环境温度下为6.2W（Ta），在管壳温度下可达42W（Tc），良好的热性能得益于其DFN封装底部的散热焊盘设计。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过AOS授权代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，AON6794非常适合应用于对效率和功率密度有严格要求的场景。典型应用包括服务器、通信设备的DC-DC同步整流和功率开关、电动工具及无人机的电机驱动控制、笔记本电脑的电源管理模块，以及各类便携式设备中的负载开关和电池保护电路。其稳健的设计使其能够胜任高频、高效率的电源转换任务，是工程师在紧凑型高功率设计中实现高性能目标的优选器件。

• 型号:AON6794
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 39A/85A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):39A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2150 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON6794现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。