AON7568技术参数

AON7568是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件采用紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装封装，专为高功率密度和高效率应用而优化，其核心设计旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。

该MOSFET的显著特性在于其优异的导通电阻表现，在10V栅极驱动电压和20A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为4.6毫欧。极低的Rds(On)直接转化为更低的传导损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在60nC @ 10V，较低的栅极电荷有助于减少开关过程中的驱动损耗，并允许使用更小、更快的栅极驱动器，从而优化高频开关应用的性能。

在电气参数方面，AON7568具备30V的漏源击穿电压（Vdss），提供了稳健的电压裕量。其连续漏极电流在环境温度（Ta）25°C下为25A，在壳温（Tc）25°C下可达32A，展现了强大的电流处理能力。器件的栅源驱动电压（Vgs）范围宽达±20V，而开启阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.4V，确保了与标准逻辑电平及模拟驱动电路的兼容性。其热性能同样出色，最大功率耗散在壳温下为28W，结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，保证了在苛刻环境下的可靠运行。如需获取官方技术支持和供货保障，可通过AOS总代理进行咨询。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，这款MOSFET非常适用于需要高效电源管理的领域。典型应用场景包括服务器和电信设备的DC-DC同步整流、电机驱动控制、锂电池保护电路以及各类负载开关。在这些应用中，AON7568能够有效降低能耗，提升功率密度，是工程师设计高性能、高可靠性电源系统的优选功率开关器件。

• 型号:AON7568
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 25A/32A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Ta），32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2270 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），28W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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