AOD516技术参数

AOD516是一款由Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS)设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装形式为TO-252（D-Pak）。该器件基于优化的单元结构和沟槽工艺，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其核心架构通过精细的栅极设计和低电荷特性，有效降低了开关损耗，提升了整体能效，适用于高频开关应用环境。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压(Vdss)为30V，提供了稳健的耐压能力。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压(Vgs)和20A漏极电流(Id)条件下，其导通电阻(Rds(on))典型值低至5毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的效率。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.2V，并与较低的栅极总电荷(Qg，最大值33nC @ 10V)相结合，确保了器件易于驱动且开关速度快，有助于简化栅极驱动电路的设计并减少开关过程中的能量损失。

在接口与参数方面，AOD516采用标准的表面贴装TO-252封装，便于自动化生产并具有良好的散热特性。其连续漏极电流在环境温度(Ta)25°C下为18A，在管壳温度(Tc)25°C下可达46A，展现了强大的电流处理能力。器件的最大允许栅源电压(Vgs)为±20V，提供了宽裕的驱动安全裕量。其功率耗散能力在管壳温度(Tc)下标称高达50W，结合宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C），使其能够在苛刻的热环境中稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取原装正品和技术支持。

凭借其优异的性能组合，AOD516非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流和开关管、电机驱动控制电路、锂电池保护板以及各类负载开关。其低导通电阻和良好的开关特性使其成为现代紧凑型电源和电机控制解决方案中的理想选择。

• 制造商产品型号：AOD516
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta），46A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1229pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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