AOW482技术参数

AOW482是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下SDMOS系列的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于标准的TO-262通孔封装中，旨在为工程师提供一种在高压、大电流应用中实现高效功率转换和开关控制的可靠解决方案。其核心设计平衡了导通损耗、开关性能与热管理，是工业电源、电机驱动等领域的理想选择。

该芯片的电气性能表现突出。其80V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在多种离线式或直流总线应用中的安全裕量。在导通特性方面，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至7.2毫欧（@20A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为81nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，尤其适用于高频开关电源设计。

在接口与参数层面，AOW482提供了宽泛的工作条件以适应严苛环境。其连续漏极电流在壳温（Tc）条件下高达105A，展现了强大的电流处理能力；而在环境温度（Ta）下为11A，为不同散热条件的设计提供了参考。器件的栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了足够的驱动灵活性。其结温（TJ）工作范围覆盖-55°C至175°C，确保了在极端温度下的稳定运行。对于采购与技术支持，可以通过官方授权的AOS总代理获取完整的规格书、样品及供应链支持。

基于其优异的性能组合，AOW482非常适合应用于需要高效能和高可靠性的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制器和H桥电路、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备中的功率开关。其TO-262封装具有良好的散热路径，便于通过散热器进行有效热管理，从而在诸如服务器电源、电动工具和新能源逆变器等系统中发挥关键作用。

• 制造商产品型号：AOW482
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO262
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SDMOS
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：80V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Ta），105A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：81nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4870pF @ 40V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），333W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-262
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOW482现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。