AOD66920技术参数

AOD66920是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的AlphaSGT平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的单元结构和沟槽栅技术，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的理想平衡。其核心设计聚焦于降低传导损耗和开关损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。封装形式为行业通用的TO-252（DPAK），兼顾了优异的散热性能与PCB布局的便利性。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电气性能。它具备100V的漏源击穿电压（Vdss），为设计提供了充足的电压裕量。在导通特性方面，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、20A电流条件下典型值仅为8.2毫欧，这意味着在相同电流下能产生更低的导通压降和热量。其栅极电荷（Qg）最大值控制在50nC，结合较低的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关瞬态，减少开关过程中的损耗，尤其适用于高频开关应用。

在接口与参数层面，AOD66920的驱动门槛电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，标准逻辑电平即可有效驱动，同时其栅源电压（Vgs）可承受±20V，增强了应用的鲁棒性。其电流承载能力显著，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）为19.5A，而在借助封装良好散热（壳温Tc条件下）时可达70A，展现了强大的峰值电流处理能力。最大功率耗散在壳温条件下为89W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。如需获取官方技术支持或批量采购，可以联系AOS授权代理。

凭借上述综合性能，这款器件非常适合应用于要求高效率和高功率密度的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制、锂电保护电路以及各类电源管理系统。其优异的Rds(on)与Qg比值，使其成为在开关电源、电动工具、不间断电源（UPS）等产品中实现高效电能转换的理想选择。

• 型号:AOD66920
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 19.5A/70A TO252
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），89W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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