

AON7424技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-DFN(3x3)
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8DFN
- 专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!
- 您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购

AON7424技术参数详情说明:
AON7424是一款由Alpha & Omega Semiconductor (AOS)设计生产的N沟道功率MOSFET,采用先进的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)技术。该器件采用紧凑的8-DFN(3x3)表面贴装封装,专为高功率密度和高效率应用而优化。其核心架构基于AOS成熟的沟槽技术,旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷的优化平衡,从而在开关电源转换中显著降低传导损耗和开关损耗,提升系统整体能效。
该MOSFET具备30V的漏源击穿电压(Vdss),提供了稳健的电压裕量。其导通电阻特性尤为突出,在10V栅极驱动电压(Vgs)和20A漏极电流条件下,最大导通电阻(Rds(on))仅为5.2毫欧,这直接转化为更低的通态压降和发热。同时,其最大栅极总电荷(Qg)为60nC,较低的栅极电荷需求简化了驱动电路设计,并有助于实现更高的开关频率,从而允许使用更小的外围磁性元件。其连续漏极电流能力在环境温度(Ta)25°C下为18A,在管壳温度(Tc)下可达40A,展现了强大的电流处理能力。
在接口与参数方面,AON7424的栅极驱动电压范围宽泛,标准驱动电压为4.5V至10V,且栅源电压(Vgs)可承受±20V的最大值,增强了抗干扰能力。其输入电容(Ciss)在15V Vds下最大值为3450pF。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围,最大功耗在环境温度下为3.1W,在管壳温度下可达36W,确保了在苛刻环境下的可靠性。对于关键物料供应,可通过官方AOS总代理渠道进行咨询。
基于其优异的电气性能和紧凑封装,AON7424非常适合应用于空间受限且对效率要求严苛的场合。典型应用包括服务器、通信设备的DC-DC同步整流和功率开关、笔记本电脑的CPU/GPU供电电路、各类负载点(POL)转换器以及电机驱动控制模块。其低Rds(on)和高电流能力使其成为提升电源系统功率密度和转换效率的理想选择。
- 制造商产品型号:AON7424
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8DFN
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):18A(Ta),40A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5.2 毫欧 @ 20A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):60nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3450pF @ 15V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),36W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:8-DFN(3x3)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AON7424现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。
您可能对以下的类似型号也感兴趣:













