AOI4T60P技术参数

AOI4T60P 是一款由 AOS (Alpha & Omega Semiconductor Inc.) 设计生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用成熟的平面型金属氧化物半导体场效应晶体管技术。该器件采用 TO-251 (IPAK) 通孔封装，为工程师在紧凑型设计中提供了可靠的功率开关解决方案。其核心架构基于优化的单元设计，旨在平衡导通电阻、栅极电荷和开关性能，以满足中功率应用对效率和可靠性的要求。

该 MOSFET 具备 600V 的高漏源击穿电压 (Vdss)，使其能够从容应对离线式开关电源、功率因数校正等场合中常见的电压应力。在 25°C 壳温条件下，其连续漏极电流 (Id) 额定值为 4A，结合 2.1 欧姆 (典型值 @ 10V Vgs, 2A Id) 的低导通电阻，有效降低了器件在导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。其栅极驱动特性经过优化，最大栅源电压 (Vgs) 为 ±30V，而标准驱动电压为 10V，这为驱动电路设计提供了充足的裕量，同时 较低的栅极电荷 (Qg 最大 15nC @ 10V) 有助于减少开关损耗并简化栅极驱动要求。

在电气参数方面，AOI4T60P 展现了稳健的性能。其栅极阈值电压 Vgs(th) 最大值为 5V @ 250A，确保了良好的噪声抑制能力。在 100V Vds 下，输入电容 (Ciss) 最大值为 522pF，这一参数与低栅极电荷共同决定了其快速的开关响应速度。器件在壳温下的最大功率耗散能力为 83W，并支持宽泛的结温工作范围（-50°C 至 150°C），这使其能够适应各种苛刻的环境条件。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的 AOS中国代理 获取产品详情、技术资料和采购信息。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，该器件非常适合应用于一系列中功率的 AC-DC 转换场景。典型应用包括开关模式电源 (SMPS) 的初级侧开关、功率因数校正 (PFC) 电路、照明镇流器以及电机驱动控制中的辅助电源部分。TO-251 封装提供了良好的散热性能和便于手工焊接或波峰焊接的便利性，是工业控制、消费电子电源适配器和 LED 驱动等领域中经济高效的功率开关选择。

• 制造商产品型号：AOI4T60P
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 4A TO251
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.1 欧姆 @ 2A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：522pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：83W（Tc）
• 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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