AOI516_002技术参数

AOI516_002是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用成熟的TO-251B（IPAK）通孔封装。该器件基于先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心架构旨在实现高电流处理能力与低导通损耗的平衡。其30V的漏源击穿电压（Vdss）为设计提供了稳健的电压裕量，而优化的单元设计则显著降低了导通电阻。

在电气性能方面，该器件展现出卓越的导通特性。在10V栅极驱动电压（Vgs）下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至5毫欧（在20A条件下测量），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值仅为33nC @ 10V，结合2.2V（最大值）的低阈值电压（Vgs(th)），意味着器件具备快速的开关速度和易于驱动的特性，有助于简化栅极驱动电路设计并降低开关损耗。对于寻求可靠元件的AOS代理商而言，这些参数是关键的选型依据。

该MOSFET的电流处理能力根据散热条件不同而有所区分：在环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为18A，而在管壳温度（Tc）下则可高达46A，这突显了其强大的硅片性能和封装的热管理潜力。其最大功耗在Tc条件下可达50W，结合-55°C至175°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了器件在苛刻环境下的可靠性与鲁棒性。TO-251B封装提供了良好的机械强度和通孔安装的便利性，适合需要高可靠性的应用场景。

综合其低导通电阻、高电流容量以及快速开关性能，AOI516_002非常适用于中等功率的DC-DC转换器、电机驱动控制、电源管理模块中的负载开关以及电池保护电路等应用领域。在这些场景中，其高效的功率处理能力和稳健的电气参数有助于提升整体系统的能效与功率密度。

• 制造商产品型号：AOI516_002
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO251B
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta），46A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1229pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251B
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOI516_002现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。