

AOK20B65M2技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
- 技术参数:IGBT 650V 20A TO247
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AOK20B65M2技术参数详情说明:
作为Alpha & Omega Semiconductor (AOS) Alpha IGBT系列中的一员,AOK20B65M2是一款采用TO-247-3封装的高性能绝缘栅双极型晶体管。该器件集成了优化的沟槽栅场截止技术,旨在实现低导通损耗与快速开关特性的理想平衡。其内部结构经过精心设计,通过减小芯片尺寸和优化载流子分布,有效降低了饱和压降和开关过程中的能量损耗,为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。
该IGBT在电气性能上表现突出,其集电极-发射极击穿电压高达650V,最大集电极电流为40A,脉冲电流能力可达60A,确保了在严苛工况下的高可靠性。在15V栅极驱动电压、20A集电极电流的典型工作条件下,其饱和压降Vce(on)典型值仅为2.15V,这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时,其开关特性经过优化,开启延迟时间仅为26ns,关断延迟时间为123ns,配合580J的开启能量和280J的关断能量,使其在较高频率下工作时仍能保持良好的热表现,最大功耗为227W。
在接口与控制方面,AOK20B65M2采用标准电平输入,栅极电荷为46nC,这降低了对栅极驱动电路的要求,简化了设计。其反向恢复时间(trr)为292ns,有助于减少续流二极管关断时的电压尖峰和噪声。器件的工作结温范围宽广,从-55°C延伸至175°C,使其能够适应工业级和汽车级应用中的极端温度环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的AOS一级代理进行采购与咨询。
凭借其优异的性能组合,这款器件非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括工业电机驱动、变频器、不同断电源(UPS)、太阳能逆变器以及焊接设备等。其TO-247封装提供了优异的散热能力,便于通过散热器进行热管理,是构建紧凑、可靠的中大功率开关电源和电机控制系统的理想选择。
- 制造商产品型号:AOK20B65M2
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:IGBT 650V 20A TO247
- 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列:Alpha IGBT
- 零件状态:有源
- IGBT类型:-
- 电压-集射极击穿(最大值):650V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):40A
- 电流-集电极脉冲(Icm):60A
- 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,20A
- 功率-最大值:227W
- 开关能量:580J(开),280J(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:46nC
- 25°C时Td(开/关)值:26ns/123ns
- 测试条件:400V,20A,15 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):292ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 封装:TO-247-3
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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