

AOK50B65M2技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
- 技术参数:IGBT 650V 50A TO247
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AOK50B65M2技术参数详情说明:
AOK50B65M2是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的Alpha IGBT系列中的一款高性能绝缘栅双极型晶体管。该器件采用先进的沟槽场截止技术,在单芯片上优化了载流子注入与传输机制,实现了导通损耗与开关损耗之间的出色平衡。其650V的集射极击穿电压额定值,为工作在通用三相交流输入电压下的功率转换应用提供了充足的安全裕量,同时其紧凑的TO-247封装设计确保了高效的散热能力。
该器件的核心优势在于其优异的电气性能。在典型工作条件下(Vge=15V,Ic=50A),其集电极-发射极饱和压降Vce(on)最大值仅为2.2V,这意味着在导通状态下具有很低的功率损耗。配合102nC的栅极电荷和快速的开关特性(开启延迟46ns,关断延迟182ns),AOK50B65M2能够有效降低系统的整体开关损耗,提升转换效率。其开关能量参数(开启2.09mJ,关断1.03mJ)进一步量化了其在硬开关拓扑中的性能表现,而327ns的反向恢复时间则优化了其在续流或钳位电路中的行为。
在接口与参数方面,该器件额定集电极电流为50A,并可承受高达100A的连续电流和150A的脉冲电流,展现了强大的过载能力。最大耗散功率为500W,结合其宽泛的结温工作范围(-55°C至175°C),使其能够在苛刻的环境下稳定运行。标准的输入特性使其与市面上主流栅极驱动IC具有良好的兼容性,简化了驱动电路设计。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过官方AOS总代理获取完整的技术支持与供货保障。
基于其高电压、大电流、低损耗及高可靠性的特点,AOK50B65M2非常适用于要求严苛的工业级功率电子设备。其典型的应用场景包括但不限于三相电机驱动、不同断电源(UPS)、太阳能逆变器、电焊机以及大功率开关电源的功率开关部分。在这些应用中,它能够作为核心开关元件,有效提升系统的功率密度、能效与长期运行稳定性。
- 制造商产品型号:AOK50B65M2
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:IGBT 650V 50A TO247
- 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列:Alpha IGBT
- 零件状态:有源
- IGBT类型:-
- 电压-集射极击穿(最大值):650V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):100A
- 电流-集电极脉冲(Icm):150A
- 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,50A
- 功率-最大值:500W
- 开关能量:2.09mJ(开),1.03mJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:102nC
- 25°C时Td(开/关)值:46ns/182ns
- 测试条件:400V,50A,6 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):327ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 封装:TO-247-3
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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